計劃摘要（部分）：

一、根據2018年全球化合物磊晶廠預估營收占比可知，全球化合物半導體磊晶產業營收已超過4.9億美元，又據研究機構Technavio資料統計，2018年全球砷化鎵（GaAs）晶圓市場規模達到9.4億美元，2019年約10.49億美元，2021年市場上看12.69億美元，連續四年以逼近雙位數成長模式前進。

二、研調機構資策會指出，以氮化鎵（GaN）磊晶作為基板搭配矽組成的矽基氮化鎵（GaN on Si）未來將可望被大幅應用在基地台的功率放大器（PA）；至於電動車市場由於需要具備承受瞬間高功率電流，因此對於以氮化鎵為基板的碳化矽（SiC）材料亦相當注重。
資策會預估，進入2020年後，以氮化鎵為基板導入矽、SiC及氮化鎵等材料的晶圓需求，將可達到6,435平方公尺，相較2019年將可望成長52.49％，市場規模更上看790億美元，年增幅超越兩成水準，因此未來GaN基板市場發展將可望備受市場期待。

三、對化合物半導體未來的終端市場需求，依照不同元件特性可分為傳輸和無線通訊的5G晶片、耐高溫和抗高電壓的車用晶片，與可接收和回傳訊號的光通訊晶片三大領域。故由5G晶片、車用晶片與光通訊晶片的元件開發，將帶動未來磊晶廠的營收和資本支出，確立未來投資方向。

四、本事業新公司的發起人暨創辦人，基於未來磊晶代工市場的需求性高，且有跨世代的新磊晶產品推出（SiC、GaN），以及囊括核心團隊成員有製程技術、設備技術與廠務管理等各領域之專才，並預定結合前端供應商、後端客戶群之投資股東成員，再 加上開放給純投資之出資者，將於竹南科學園區成立一全新磊晶廠，攜手共創磊晶市場商機。

五、本投資計劃書之各項財務預估，乃採保守偏持平之方式作推估。新公司預定於20xx年Q1成立，資本額為新台幣5億元，於Q2建置廠房，Q3購置磊晶生產設備，Q4正式投產。依10.2、預估損益表可知，本事業第2年(2021年)即能產生稅前盈餘，毛利率達60%，達成損益兩平，公司開始獲利。

六、本公司營運至第4年，即能回收所有投資資金，稅前淨利率達39%，爾後每年稅前淨利至少有x億元以上。預估至第6年，完成所有磊晶生產設備之建置，第6年營收可達xx億元，稅前盈餘可達xx億元，稅前EPS達xx元，公司前景可期。

詳細之投資計劃內容，請參閱如後各項說明內容。 

∼以上僅提供部分摘要內容供參考，其餘省略之∼

字數統計	約 59,485 字
紙本頁數	118 頁
投資規模 或 標案金額	新台幣 5億元
完成交付日期	2019-10-07
行業別 / 所在地區	半導體業 / 新竹市